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IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

Power MOSFET

FEATURES

• Superfast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications

• Lower Gate Charge Results in Simple Drive Requirements

• Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

• Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity

• Lead Pb-free Available Available

APPLICATIONS

• Zero Voltage Switching SMPS

• Telecom and Server Power Supplies

• Uniterruptible Power Supplies

• Motor Control Applications

IRFP21N60LPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 4000pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFP21N60LPBF引脚图与封装图
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