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IRFP22N50APBF

IRFP22N50APBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRFP22N50APBF.  场效应管, MOSFET, N沟道

The is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.

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Simple drive requirements
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Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current

贸泽:
MOSFET N-Chan 500V 22 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-247AC


富昌:
单 N 沟道 500 V 0.23 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-247AC


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 277W; TO247AC


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-247AC


Newark:
# VISHAY  IRFP22N50APBF  MOSFET Transistor, N Channel, 22 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 2 V


IRFP22N50APBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 22.0 A

额定功率 277 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.23 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 277 W

阈值电压 4 V

输入电容 3450pF @25V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

上升时间 94 ns

输入电容Ciss 3450pF @25VVds

下降时间 47 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 277 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRFP22N50APBF引脚图与封装图
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