IRF9Z30PBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.093 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 74 W
漏源极电压Vds -50.0 V
连续漏极电流Ids -18.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRF9Z30PBF引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF9Z30PBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRF9Z30PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, P沟道, -18 A, -50 V, 0.093 ohm, -10 V, -4 V 新 | 搜索库存 |