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IRF9520SPBF

IRF9520SPBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRF9520SPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.8 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V

The is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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-55 to 175°C Operating temperature range
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Surface-mount
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Halogen-free
IRF9520SPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.6 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.7 W

漏源极电压Vds -100 V

连续漏极电流Ids -6.80 A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 390pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 8.81 mm

高度 4.69 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF9520SPBF引脚图与封装图
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