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IRF710PBF

N 通道 MOSFET,300V 至 400V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

**Features:**

* Dynamic dV/dt Rating

* Repetitive Avalanche Rated

* Fast Switching

* Ease of Paralleling

* Simple Drive Requirements

* Lead Pb-Free Available

IRF710PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 36 W

针脚数 3

漏源极电阻 3.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 4 V

输入电容 170pF @25V

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

热阻 3.5℃/W RθJC

输入电容Ciss 170pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF710PBF引脚图与封装图
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