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IRF9Z14PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -6.70 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 43 W

漏源极电压Vds -60.0 V

漏源击穿电压 -60.0 V

连续漏极电流Ids -6.70 A

上升时间 63.0 ns

输入电容Ciss 270pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 43 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF9Z14PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF9Z14PBF Vishay Semiconductor 威世 P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号IRF9Z14PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF9Z14PBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-220AB P-Channel -60V -6.7A

当前型号

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: IRF9Z24NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL P-Channel 55V 12A

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