额定电压DC -60.0 V
额定电流 -6.70 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.5 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 43 W
漏源极电压Vds -60.0 V
漏源击穿电压 -60.0 V
连续漏极电流Ids -6.70 A
上升时间 63.0 ns
输入电容Ciss 270pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 43 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF9Z14PBF | Vishay Semiconductor 威世 | P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF9Z14PBF 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: TO-220AB P-Channel -60V -6.7A | 当前型号 | P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 当前型号 | |
型号: IRF9Z24NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 55V 12A | 功能相似 | INFINEON IRF9Z24NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V | IRF9Z14PBF和IRF9Z24NPBF的区别 |