IRFR120TRPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
上升时间 27 ns
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFR120TRPBF引脚图与封装图
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| IRFR120TRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |