IRF530PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 14.0 A
额定功率 90 W
针脚数 3
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 88 W
阈值电压 4 V
输入电容 670pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 88000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 商业, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF530PBF引脚图与封装图
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在线购买IRF530PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF530PBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRF530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 160 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IRF530PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF530PBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB N-Channel 100V 14A 160mohms | 当前型号 | VISHAY IRF530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 160 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： IRFB4212PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 18A | 功能相似 | INFINEON IRFB4212PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V | IRF530PBF和IRFB4212PBF的区别 |