IXFH20N50P3
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH20N50P3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 380 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFH20N50P3引脚图与封装图
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在线购买IXFH20N50P3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH20N50P3 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N50P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.3 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXFH20N50P3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： IXFQ20N50P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-Channel 500V 20A | 完全替代 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFH20N50P3和IXFQ20N50P3的区别 |
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