IRFU110PBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 4.30 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 180pF @25VVds
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFU110PBF引脚图与封装图
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在线购买IRFU110PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFU110PBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFU110PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAK | 搜索库存 |
替代型号IRFU110PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFU110PBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-251 N-Channel 100V 4.3A | 当前型号 | VISHAY IRFU110PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAK | 当前型号 |
| 型号： IRFR110PBF 品牌： 威世 封装： TO-252 N-Channel 100V 4.3A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | IRFU110PBF和IRFR110PBF的区别 |
| 型号： IRFR110TRPBF 品牌： 威世 封装： TO-252AA N-Channel 100V 4.3A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | IRFU110PBF和IRFR110TRPBF的区别 |