IPA50R399CP
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPA50R399CP中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 399 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 890pF @100VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPA50R399CP引脚图与封装图
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在线购买IPA50R399CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPA50R399CP | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPA50R399CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IPA50R399CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPA50R399CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel 500V 9A | 当前型号 | INFINEON IPA50R399CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
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| 型号： IPP50R399CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 500V 9A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPA50R399CP和IPP50R399CP的区别 |
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