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IRFR220TRPBF

IRFR220TRPBF

数据手册.pdf

N 沟道 200 V 0.8 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252

Power MOSFET

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vaporphase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version IRFU/SiHFU series is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount  applications.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount IRFR220/SiHFR220

• Straight Lead IRFU220/SiHFU220

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead Pb-free Available

IRFR220TRPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 4.80 A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 260pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFR220TRPBF引脚图与封装图
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