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IRLR110PBF

IRLR110PBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRLR110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V

The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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Surface-mount
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Logic-level gate drive
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RDS ON Specified at VGS = 4 and 5V
IRLR110PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 4.30 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 2 V

输入电容 250pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 4.30 A

上升时间 47 ns

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRLR110PBF引脚图与封装图
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在线购买IRLR110PBF
型号 制造商 描述 购买
IRLR110PBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRLR110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V 搜索库存
替代型号IRLR110PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRLR110PBF

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-252 N-Channel 100V 4.3A

当前型号

VISHAY  IRLR110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V

当前型号

型号： IRLR110TRPBF

品牌： 威世

封装： DPAK N-Channel 100V 4.3A

完全替代

N 沟道 100 V 0.54 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252

IRLR110PBF和IRLR110TRPBF的区别

型号： IRLR120NPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 100V 10A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLR110PBF和IRLR120NPBF的区别