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IRF610PBF

IRF610PBF

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

The is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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Fast switching
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Easy to parallel
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Simple drive requirement
IRF610PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.30 A

额定功率 36 W

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 4 V

输入电容 140pF @25V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 3.30 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 140pF @25VVds

下降时间 8.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF610PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF610PBF Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号IRF610PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRF610PBF

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-220-3 N-Channel 200V 3.3A

当前型号

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

当前型号

型号： IRFB4020PBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 200V 18A

功能相似

INFINEON  IRFB4020PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 4.9 V

IRF610PBF和IRFB4020PBF的区别

型号： IRFB4620PBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 200V 25A

功能相似

INFINEON  IRFB4620PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 200 V, 60 mohm, 10 V, 3 V

IRF610PBF和IRFB4620PBF的区别