IRFR1N60ATRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 229pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 DPAK
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFR1N60ATRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRFR1N60ATRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |