IRFR320TRPBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 3.10 A
上升时间 14 ns
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFR320TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFR320TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR320TRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFR320TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IRFR320TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR320TRPBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DPAK N-Channel 400V 3.1A | 当前型号 | VISHAY IRFR320TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： IRFR320PBF 品牌： 威世 封装： TO-252 N-Channel 400V 3.1A | 类似代替 | VISHAY IRFR320PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, 10 V, 4 V | IRFR320TRPBF和IRFR320PBF的区别 |