IX3120GESTR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IX3120GESTR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 100 ns
通道数 1
正向电压 1.24 V
隔离电压 3750 Vrms
正向电流 20 mA
正向电压Max 1.5 V
下降时间Max 100 ns
上升时间Max 100 ns
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 100℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IX3120GESTR引脚图与封装图
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| IX3120GESTR | IXYS Semiconductor | OPTOISO 3.75kV 1CH GATE DVR 8SMD | 搜索库存 |