IXTH96N20P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH96N20P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 600 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 96.0 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 4800pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
香港进出口证 NLR
IXTH96N20P引脚图与封装图
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在线购买IXTH96N20P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH96N20P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH96N20P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 96 A, 200 V, 24 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXTH96N20P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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