IXFH12N90P
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IXYS Semiconductor
晶体管
IXFH12N90P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 380 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 3080pF @25VVds
下降时间 68 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 机器人, 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFH12N90P引脚图与封装图
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在线购买IXFH12N90P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH12N90P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V | 搜索库存 |
替代型号IXFH12N90P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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