IMB3AT110
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMB3AT110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.3 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IMB3AT110引脚图与封装图
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在线购买IMB3AT110
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMB3AT110 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | IMB3A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 PNP 数字 晶体管 - SC-74 | 搜索库存 |
替代型号IMB3AT110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMB3AT110 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-457 PNP -50V -100mA 0.3W | 当前型号 | IMB3A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 PNP 数字 晶体管 - SC-74 | 当前型号 |
| 型号： UMB3NTN 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 150mW | 类似代替 | 双数字三极管,PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA | IMB3AT110和UMB3NTN的区别 |
| 型号： IMB4AT110 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 PNP -50V -100mA | 类似代替 | SMT PNP 50V 100mA | IMB3AT110和IMB4AT110的区别 |
| 型号： DDA143TK-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-26 PNP 300mW | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6Pin SOT-26 T/R | IMB3AT110和DDA143TK-7-F的区别 |