IMB4AT110
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMB4AT110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IMB4AT110引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IMB4AT110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMB4AT110 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-457 PNP -50V -100mA | 当前型号 | SMT PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： IMB3AT110 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 PNP -50V -100mA 0.3W | 类似代替 | IMB3A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 PNP 数字 晶体管 - SC-74 | IMB4AT110和IMB3AT110的区别 |
| 型号： UMB3NTN 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 150mW | 功能相似 | 双数字三极管,PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA | IMB4AT110和UMB3NTN的区别 |
| 型号： DDA114TK-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-26 PNP | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6Pin SOT-26 T/R | IMB4AT110和DDA114TK-7-F的区别 |