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IS45S32200E-7BLA2

IS45S32200E-7BLA2

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

SDRAM 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
DRAM 64M 2Mx32 143MHz SDR SDRAM 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 90-Pin TFBGA


Win Source:
IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 90BGA


IS45S32200E-7BLA2中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 7 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 8 mm

高度 1.05 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS45S32200E-7BLA2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS45S32200E-7BLA2 Integrated Silicon SolutionISSI Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90 搜索库存
替代型号IS45S32200E-7BLA2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS45S32200E-7BLA2

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-90

当前型号

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

当前型号

型号: IS45S32200L-7BLA2

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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