IS42S32200E-7BLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS42S32200E-7BLI中文资料参数规格
技术参数
供电电流 140 mA
存取时间 5.50 ns
内存容量 8000000 B
电源电压 3V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 TFBGA-90
外形尺寸
封装 TFBGA-90
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IS42S32200E-7BLI引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IS42S32200E-7BLI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS42S32200E-7BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA | 搜索库存 |
替代型号IS42S32200E-7BLI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS42S32200E-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 90-TFBGA 8000000B 5.5ns | 当前型号 | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA | 当前型号 |
| 型号： IS42S32200L-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA | 功能相似 | 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | IS42S32200E-7BLI和IS42S32200L-7BLI的区别 |