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IS42RM16800G-75BLI

IS42RM16800G-75BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA

Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


IS42RM16800G-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 55 mA

位数 16

存取时间Max 8ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42RM16800G-75BLI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42RM16800G-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA 搜索库存
替代型号IS42RM16800G-75BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42RM16800G-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA

当前型号

型号: IS42VM16800G-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

功能相似

128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

IS42RM16800G-75BLI和IS42VM16800G-75BLI的区别

型号: IS42SM16800G-75BI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

功能相似

DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54Pin TFBGA

IS42RM16800G-75BLI和IS42SM16800G-75BI的区别