
供电电流 55 mA
位数 16
存取时间Max 8ns, 6ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V
安装方式 Surface Mount
引脚数 54
封装 BGA-54
高度 0.8 mm
封装 BGA-54
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS42RM16800G-75BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS42RM16800G-75BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 当前型号 | DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA | 当前型号 | |
型号: IS42VM16800G-75BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 功能相似 | 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT | IS42RM16800G-75BLI和IS42VM16800G-75BLI的区别 | |
型号: IS42SM16800G-75BI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: | 功能相似 | DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54Pin TFBGA | IS42RM16800G-75BLI和IS42SM16800G-75BI的区别 |