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IS43TR16128AL-125KBL

IS43TR16128AL-125KBL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS

SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb 128M x 16 Parallel 800MHz 20ns 96-TWBGA 9x13


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA


Verical:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA


IS43TR16128AL-125KBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 155 mA

存取时间Max 20 ns

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 96

封装 FBGA-96

外形尺寸

封装 FBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IS43TR16128AL-125KBL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43TR16128AL-125KBL Integrated Silicon SolutionISSI 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS 搜索库存
替代型号IS43TR16128AL-125KBL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43TR16128AL-125KBL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: FBGA

当前型号

2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS

当前型号

型号: IS43TR16128AL-125KBLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 96-BGA

完全替代

2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS, IT

IS43TR16128AL-125KBL和IS43TR16128AL-125KBLI的区别