IMH4AT110
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMH4AT110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.3 W
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
宽度 1.6 mm
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IMH4AT110引脚图与封装图 
IMH4AT110引脚图
IMH4AT110封装图
IMH4AT110封装焊盘图
在线购买IMH4AT110
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMH4AT110 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm | 搜索库存 |
替代型号IMH4AT110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMH4AT110 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN 50V 100mA 0.3W | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm | 当前型号 |
| 型号： IMH8AT108 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN 50V 100mA 0.3W | 完全替代 | ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | IMH4AT110和IMH8AT108的区别 |
| 型号： IMH14AT108 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA | 类似代替 | SMT NPN 50V 100mA | IMH4AT110和IMH14AT108的区别 |
| 型号： UMH8NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 0.15W | 类似代替 | UMH8N 系列 50 V 100 mA 双 NPN 通用 数字 晶体管-SC-88 | IMH4AT110和UMH8NTR的区别 |