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IS42S81600E-6TLI

IS42S81600E-6TLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 128M 16Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM 存储器 IC 128Mb(16M x 8) 并联 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 128M 16Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II


IS42S81600E-6TLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 150 mA

位数 8

存取时间 6.5 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.22 mm

宽度 10.16 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S81600E-6TLI引脚图与封装图
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IS42S81600E-6TLI Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 128M 16Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S81600E-6TLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TSOP

当前型号

动态随机存取存储器 128M 16Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

当前型号

型号: IS42S81600F-6TLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TSOP

类似代替

128M, 3.3V, SDRAM, 16Mx8, 166MHz, 54Pin TSOP II 400 mil RoHS, IT

IS42S81600E-6TLI和IS42S81600F-6TLI的区别