IMH9AT110
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMH9AT110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
额定功率 0.3 W
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
封装 SC-74-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
IMH9AT110引脚图与封装图 
IMH9AT110引脚图
IMH9AT110封装图
IMH9AT110封装焊盘图
在线购买IMH9AT110
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMH9AT110 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | IMH9AT110 系列 NPN 100 mA 50 V 表面贴装 复合 数字晶体管 - SOT-457 | 搜索库存 |
替代型号IMH9AT110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMH9AT110 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN 50V 70mA 0.3W | 当前型号 | IMH9AT110 系列 NPN 100 mA 50 V 表面贴装 复合 数字晶体管 - SOT-457 | 当前型号 |
| 型号： IMH9A 品牌： 罗姆半导体 封装： SMT6/SOT-457 NPN+NPN | 功能相似 | 通用（双数字晶体管） General purpose dual digital transistors | IMH9AT110和IMH9A的区别 |