IS41LV16100B-60TL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V 44Pin TSOP-II T/R

DRAM - EDO 存储器 IC 16Mb（1M x 16）并联 30 ns 44-TSOP II

得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

贸泽:
DRAM 16M 1Mx16 60ns

艾睿:
DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II T/R

IS41LV16100B-60TL-TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

存取时间 60 ns

内存容量 16000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 21.05 mm

宽度 10.26 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS41LV16100B-60TL-TR引脚图与封装图

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