IMT3AT108
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMT3AT108中文资料参数规格
技术参数
频率 140 MHz
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -150 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IMT3AT108引脚图与封装图 
IMT3AT108引脚图
IMT3AT108封装图
IMT3AT108封装焊盘图
替代型号IMT3AT108
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMT3AT108 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-74 PNP -50V -150mA 0.3W | 当前型号 | SMT PNP 50V 0.15A | 当前型号 |
| 型号： IMT3A 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-163/SMT6/SC-74 PNP | 功能相似 | IMT3A PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT-163/SMT6/SC-74 标记T3 用于开关/数字电路 | IMT3AT108和IMT3A的区别 |