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IMX4T108
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SMT NPN 20V 0.05A

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 20V 50mA 1.5GHz 300mW Surface Mount SMT6


得捷:
TRANS 2NPN 20V 0.05A 6SMT


安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 6-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 6-Pin SMT T/R


IMX4T108中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 56 @10mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 56

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IMX4T108引脚图与封装图
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