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IMX1T110
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHMTwo transistors per an integrated circuit semiconductor package. ### 双极晶体管,ROHM

双重双极性,ROHM

每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。

### 双极晶体管,


欧时:
ROHM IMX1T110, 双 NPN 晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 180 MHz, 6引脚 SOT-457 SC-74封装


得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT


立创商城:
2个NPN 50V 150mA SOT-457


e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-74


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R


儒卓力:
**NPN/NPN DUAL-TRANS.50V SMT6 **


力源芯城:
双NPN晶体管


Win Source:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT


DeviceMart:
TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457


IMX1T110中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 150 mA

额定功率 0.3 W

针脚数 6

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 300 mW

增益频宽积 180 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IMX1T110引脚图与封装图
IMX1T110引脚图

IMX1T110引脚图

IMX1T110封装图

IMX1T110封装图

IMX1T110封装焊盘图

IMX1T110封装焊盘图

在线购买IMX1T110
型号 制造商 描述 购买
IMX1T110 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM Two transistors per an integrated circuit semiconductor package. ### 双极晶体管,ROHM 搜索库存
替代型号IMX1T110
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IMX1T110

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SC-74 N-Channel 50V 150mA 0.3W

当前型号

ROHMTwo transistors per an integrated circuit semiconductor package. ### 双极晶体管,ROHM

当前型号

型号: IMX1

品牌: 罗姆半导体

封装:

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