IPD60R1K4C6
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD60R1K4C6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 28.4 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.2A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 200pF @100VVds
额定功率Max 28.4 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 28.4W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPD60R1K4C6引脚图与封装图
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在线购买IPD60R1K4C6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD60R1K4C6 | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPD60R1K4C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IPD60R1K4C6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD60R1K4C6 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 650V 3.2A | 当前型号 | INFINEON IPD60R1K4C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： IPD60R1K4C6ATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 650V 3.2A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPD60R1K4C6和IPD60R1K4C6ATMA1的区别 |