IDT7133SA35JG
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
IDT7133SA35JG中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 4.50V min
针脚数 68
存取时间 35 ns
内存容量 4000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 68
封装 PLCC
外形尺寸
封装 PLCC
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
IDT7133SA35JG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IDT7133SA35JG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDT7133SA35JG | Integrated Device Technology 艾迪悌 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY IDT7133SA35JG 芯片, 双口SRAM 2KX16 | 搜索库存 |
替代型号IDT7133SA35JG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDT7133SA35JG 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： LCC 4000B 4.5V 68Pin | 当前型号 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY IDT7133SA35JG 芯片, 双口SRAM 2KX16 | 当前型号 |
| 型号： 7133LA35J 品牌： 艾迪悌 封装： PLCC 68Pin | 完全替代 | Ic Sram 32Kbit 35ns 68plcc | IDT7133SA35JG和7133LA35J的区别 |
| 型号： IDT7133LA25JGI 品牌： 艾迪悌 封装： PLCC | 类似代替 | RAM，IDT### SRAM（静态随机存取存储器） | IDT7133SA35JG和IDT7133LA25JGI的区别 |
| 型号： 7133SA55JI 品牌： 艾迪悌 封装： PLCC 68Pin | 功能相似 | SRAM Chip Async Dual 5V 32Kbit 2K x 16 55ns 68Pin PLCC Tube | IDT7133SA35JG和7133SA55JI的区别 |