ISL6614BIRZ-T
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6614BIRZ-T中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 4
输出电流 3 A
耗散功率 2 W
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 7V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 QFN-16
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 4 mm
高度 0.95 mm
封装 QFN-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6614BIRZ-T引脚图与封装图 
ISL6614BIRZ-T引脚图
ISL6614BIRZ-T封装图
ISL6614BIRZ-T封装焊盘图
在线购买ISL6614BIRZ-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL6614BIRZ-T | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
替代型号ISL6614BIRZ-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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