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ISL6614BIBZ

ISL6614BIBZ

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件
ISL6614BIBZ中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 26ns, 18ns

电源电压 7V ~ 13.2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-14

外形尺寸

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL6614BIBZ引脚图与封装图
ISL6614BIBZ引脚图

ISL6614BIBZ引脚图

ISL6614BIBZ封装图

ISL6614BIBZ封装图

ISL6614BIBZ封装焊盘图

ISL6614BIBZ封装焊盘图

在线购买ISL6614BIBZ
型号 制造商 描述 购买
ISL6614BIBZ Intersil 英特矽尔 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP 搜索库存
替代型号ISL6614BIBZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL6614BIBZ

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: SOIC-14

当前型号

与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

当前型号

型号: ISL6614BCBZ

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC

完全替代

与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6614BIBZ和ISL6614BCBZ的区别

型号: ISL6614BIBZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: Surface

完全替代

与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6614BIBZ和ISL6614BIBZ-T的区别