ISL89165FBECZ-T
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL89165FBECZ-T中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 20 ns
电源电压 7.5V ~ 16V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL89165FBECZ-T引脚图与封装图 
ISL89165FBECZ-T引脚图
ISL89165FBECZ-T封装图
ISL89165FBECZ-T封装焊盘图
在线购买ISL89165FBECZ-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL89165FBECZ-T | Intersil 英特矽尔 | MOSFET DRVR 6A 2Out Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R | 搜索库存 |
替代型号ISL89165FBECZ-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL89165FBECZ-T 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC | 当前型号 | MOSFET DRVR 6A 2Out Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R | 当前型号 |
| 型号： ISL89165FBECZ 品牌： 英特矽尔 封装： Surface | 完全替代 | 6A,高速2通道MOSFET驱动器带使能输入 | ISL89165FBECZ-T和ISL89165FBECZ的区别 |