ISL6614BCBZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6614BCBZ中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 4
耗散功率 1000 mW
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 7V ~ 13.2V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-14
外形尺寸
封装 SOIC-14
物理参数
工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6614BCBZ引脚图与封装图 
ISL6614BCBZ引脚图
ISL6614BCBZ封装图
ISL6614BCBZ封装焊盘图
在线购买ISL6614BCBZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL6614BCBZ | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
替代型号ISL6614BCBZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL6614BCBZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC | 当前型号 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 当前型号 |
| 型号： ISL6614BIRZ 品牌： 英特矽尔 封装： QFN | 类似代替 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614BCBZ和ISL6614BIRZ的区别 |
| 型号： ISL6614CRZ 品牌： 英特矽尔 封装： QFN 5V 16Pin | 功能相似 | 有保护功能的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features | ISL6614BCBZ和ISL6614CRZ的区别 |