上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 4
输出电流 3 A
耗散功率 2 W
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 7V ~ 13.2V
安装方式 Surface Mount
封装 QFN-16
长度 4 mm
宽度 4 mm
高度 0.95 mm
封装 QFN-16
工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6614BCRZ引脚图
ISL6614BCRZ封装图
ISL6614BCRZ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
ISL6614BCRZ | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: ISL6614BCRZ 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: QFN | 当前型号 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 当前型号 | |
型号: ISL6614BIRZ 品牌: 英特矽尔 封装: QFN | 完全替代 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614BCRZ和ISL6614BIRZ的区别 | |
型号: ISL6614CRZ 品牌: 英特矽尔 封装: QFN 5V 16Pin | 类似代替 | 有保护功能的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features | ISL6614BCRZ和ISL6614CRZ的区别 | |
型号: ISL6614BIRZ-T 品牌: 英特矽尔 封装: QFN | 类似代替 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614BCRZ和ISL6614BIRZ-T的区别 |