ISL6613BEIBZ-T
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6613BEIBZ-T中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 13.2V max
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 2
耗散功率 2000 mW
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 7V ~ 13.2V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6613BEIBZ-T引脚图与封装图 
ISL6613BEIBZ-T引脚图
ISL6613BEIBZ-T封装图
ISL6613BEIBZ-T封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| ISL6613BEIBZ-T | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |