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ISL6613AIBZ

ISL6613AIBZ

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件
ISL6613AIBZ中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 13.2V max

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

输出电流 3 A

耗散功率 800 mW

上升时间 26 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 800 mW

电源电压 10.8V ~ 13.2V

电源电压Max 13.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL6613AIBZ引脚图与封装图
ISL6613AIBZ封装图

ISL6613AIBZ封装图

ISL6613AIBZ封装焊盘图

ISL6613AIBZ封装焊盘图

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ISL6613AIBZ Intersil 英特矽尔 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP 搜索库存