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ISL6613BCR-T

ISL6613BCR-T

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 电子元器件分类
ISL6613BCR-T中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 26ns, 18ns

电源电压 7V ~ 13.2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFDFN-10

外形尺寸

封装 VFDFN-10

物理参数

工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ISL6613BCR-T引脚图与封装图
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在线购买ISL6613BCR-T
型号 制造商 描述 购买
ISL6613BCR-T Intersil 英特矽尔 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP 搜索库存
替代型号ISL6613BCR-T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL6613BCR-T

品牌: Intersil 英特矽尔

封装:

当前型号

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

当前型号

型号: ISL6613BCRZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: DFN-EP-10 13.2V

类似代替

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6613BCR-T和ISL6613BCRZ-T的区别