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ISL6612AECB

ISL6612AECB

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP


得捷:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER


ISL6612AECB中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 13.2V max

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

电源电压 10.8V ~ 13.2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ISL6612AECB引脚图与封装图
ISL6612AECB引脚图

ISL6612AECB引脚图

ISL6612AECB封装图

ISL6612AECB封装图

ISL6612AECB封装焊盘图

ISL6612AECB封装焊盘图

在线购买ISL6612AECB
型号 制造商 描述 购买
ISL6612AECB Intersil 英特矽尔 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP 搜索库存
替代型号ISL6612AECB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL6612AECB

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: Surface 13.2V

当前型号

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

当前型号

型号: ISL6612AECBZ

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC-8 13.2V

完全替代

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6612AECB和ISL6612AECBZ的区别