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ISL6612BECB

ISL6612BECB

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP


得捷:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER


ISL6612BECB中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 13.2V max

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

电源电压 7V ~ 13.2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ISL6612BECB引脚图与封装图
ISL6612BECB封装图

ISL6612BECB封装图

ISL6612BECB封装焊盘图

ISL6612BECB封装焊盘图

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ISL6612BECB Intersil 英特矽尔 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP 搜索库存