IR3598MTR1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IR3598MTR1PBF中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 15ns, 12ns
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 QFN-16
外形尺寸
封装 QFN-16
物理参数
工作温度 0℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IR3598MTR1PBF引脚图与封装图
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在线购买IR3598MTR1PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IR3598MTR1PBF | Infineon 英飞凌 | IC MOSFET DRVR N-CH DUAL 16QFN | 搜索库存 |
替代型号IR3598MTR1PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IR3598MTR1PBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | IC MOSFET DRVR N-CH DUAL 16QFN | 当前型号 |
| 型号： IR3598MTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IR3598MTR1PBF和IR3598MTRPBF的区别 |