IR2135STR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IR2135STR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 90ns, 40ns
电源电压 10V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-28
外形尺寸
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IR2135STR引脚图与封装图
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在线购买IR2135STR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IR2135STR | Infineon 英飞凌 | Driver 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W T/R | 搜索库存 |
替代型号IR2135STR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IR2135STR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： Surface | 当前型号 | Driver 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W T/R | 当前型号 |
| 型号： IR2135STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC-28 | 完全替代 | MOSFET DRVR 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W T/R | IR2135STR和IR2135STRPBF的区别 |