IR2117S
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IR2117S中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 20.0V max
输出接口数 1
输出电压 ≥10.0 V
耗散功率 625 mW
产品系列 IR2117
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IR2117S引脚图与封装图 
IR2117S电路图
在线购买IR2117S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IR2117S | Infineon 英飞凌 | MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | 搜索库存 |
替代型号IR2117S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IR2117S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | 当前型号 |
| 型号： IR2117STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC-8 | 完全替代 | INFINEON IR2117STRPBF 芯片, MOSFET驱动器, 高压侧, SOIC-8 | IR2117S和IR2117STRPBF的区别 |
| 型号： IR2117SPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V 250mA 8Pin | 功能相似 | INFINEON IR2117SPBF 芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8 | IR2117S和IR2117SPBF的区别 |