IR2127STR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IR2127STR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 80ns, 40ns
电源电压 12V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IR2127STR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IR2127STR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IR2127STR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC | 当前型号 |
| 型号： IR2127STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL | 完全替代 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IR2127STR和IR2127STRPBF的区别 |