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ICL7667EBA+T

ICL7667EBA+T

数据手册.pdf

MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N T/R

半桥 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


ICL7667EBA+T中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 17.0V max

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 2

电源电压 4.5V ~ 17V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ICL7667EBA+T引脚图与封装图
ICL7667EBA+T引脚图

ICL7667EBA+T引脚图

ICL7667EBA+T封装图

ICL7667EBA+T封装图

ICL7667EBA+T封装焊盘图

ICL7667EBA+T封装焊盘图

在线购买ICL7667EBA+T
型号 制造商 描述 购买
ICL7667EBA+T Maxim Integrated 美信 MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N T/R 搜索库存
替代型号ICL7667EBA+T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ICL7667EBA+T

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: Surface 17V 8Pin

当前型号

MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N T/R

当前型号

型号: ICL7667CBA+

品牌: 美信

封装: NSOIC 17V 8Pin

完全替代

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  ICL7667CBA+  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器

ICL7667EBA+T和ICL7667CBA+的区别

型号: ICL7667EBA+

品牌: 美信

封装: SOIC 17V 8Pin

完全替代

门驱动器 Dual Power Inverting MOSFET Driver

ICL7667EBA+T和ICL7667EBA+的区别

型号: TC427CPA

品牌: 微芯

封装: DIP 4.5V 1.5A 8Pin

功能相似

MICROCHIP  TC427CPA  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 75ns延迟, DIP-8

ICL7667EBA+T和TC427CPA的区别