IR2132S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IR2132S中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 20.0V max
上升/下降时间 80ns, 35ns
输出接口数 6
耗散功率 1600 mW
产品系列 IR2132
下降时间Max 55 ns
上升时间Max 125 ns
耗散功率Max 1600 mW
电源电压 10V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
外形尺寸
封装 SOIC-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IR2132S引脚图与封装图 
IR2132S电路图
在线购买IR2132S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IR2132S | Infineon 英飞凌 | MOSFET DRVR 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W | 搜索库存 |
替代型号IR2132S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IR2132S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | MOSFET DRVR 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W | 当前型号 |
| 型号： IR2132STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL | 完全替代 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IR2132S和IR2132STRPBF的区别 |
| 型号： IR2132SPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V 28Pin | 类似代替 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier | IR2132S和IR2132SPBF的区别 |